您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機訪問
掃一掃訪問手機網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
-
PMOS應(yīng)用上電控制,電池防反接,模塊電源開關(guān)介紹
2023-05-25
PMOS應(yīng)用上電控制,電池防反接,模塊電源開關(guān)介紹上電控制：軟件控制系統(tǒng)上電、下電、不同模式之間切換，一般通過控制 NMOS 進而 PMOS 開
-
PMOS分立負(fù)載開關(guān)電路圖文介紹
2023-05-25
PMOS分立負(fù)載開關(guān)電路圖文介紹負(fù)載開關(guān)是用于開啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負(fù)載開關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用，包括但不限于：-配電-
-
NMOS分立負(fù)載開關(guān)電路圖文介紹
2023-05-24
NMOS分立負(fù)載開關(guān)電路圖文介紹負(fù)載開關(guān)是用于開啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負(fù)載開關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用，包括但不限于：-配電-
-
集成負(fù)載開關(guān),參數(shù),特性詳細(xì)解析
2023-05-24
集成負(fù)載開關(guān),參數(shù),特性詳細(xì)解析集成負(fù)載開關(guān)框圖大部分集成負(fù)載開關(guān)包含四個引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。其內(nèi)
-
MOS管搭建長按按鍵開關(guān)機電路圖介紹
2023-05-24
MOS管搭建長按按鍵開關(guān)機電路圖介紹用MOS管搭建一個長按按鍵開關(guān)機的電路，通過長按一個按鍵，控制整個設(shè)備開關(guān)機的電路。電路圖：工作原理
-
600V無刷電機的MOS管驅(qū)動電路設(shè)計介紹
2023-05-23
600V無刷電機的MOS管驅(qū)動電路設(shè)計介紹在設(shè)計開發(fā)無刷電機的應(yīng)用電路，較為經(jīng)典的電路設(shè)計是選用MOS管的H橋方案，因為H橋方案最大的特點通過
-
NMOS物理結(jié)構(gòu),NMOS的結(jié)構(gòu),原理解析
2023-05-23
NMOS物理結(jié)構(gòu),NMOS的結(jié)構(gòu),原理解析NMOS的一個重要功能--放大，可是NMOS是怎么實現(xiàn)這個功能的呢？它的物理結(jié)構(gòu)又是怎樣的呢？現(xiàn)在我們來討論
-
IGBT失效模式詳細(xì)解析
2023-05-23
IGBT失效模式詳細(xì)解析IGBT失效詳解失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，
-
怎么降低MOSFET損耗
2023-05-22
怎么降低MOSFET損耗功率MOSFET應(yīng)用中，功率損耗將導(dǎo)致熱產(chǎn)生，主要由通態(tài)損耗、開關(guān)損耗組成，這也是工程師在應(yīng)用中主要針對優(yōu)化的地方。功
-
CMOS集成電路概念,溝道寬長比解析
2023-05-22
CMOS集成電路概念,溝道寬長比解析溝道寬長比介紹本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這也是CMOS集
-
四種開關(guān)電路圖,NMOS,PMOS介紹
2023-05-22
四種開關(guān)電路圖,NMOS,PMOS介紹在電路設(shè)計過程中，有時需要獨立控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與
-
變頻器的四種控制方式介紹
2023-05-20
變頻器的四種控制方式介紹變頻器也稱為變頻驅(qū)動器或驅(qū)動控制器，是可調(diào)速驅(qū)動系統(tǒng)的一種，是應(yīng)用變頻驅(qū)動技術(shù)改變交流電動機工作電壓的頻率