MOSFET柵極與源極之間加一個(gè)電阻？這個(gè)電阻有什么作用？
作用
1. 充當(dāng)一個(gè)“偏置電壓”
2. 起到泄放電阻作用，推動(dòng)電流的釋放
首先第一個(gè)，充當(dāng)一個(gè)“偏置電壓”：
我們知道 MOSFET 一般柵極電壓比源極電壓高出一定的電壓，才能夠讓 其開(kāi)啟，這里的電壓差被稱為門源電壓。
假使在這里沒(méi)有電阻起到偏置電壓的作用，那么 MOSFET 的源極電壓會(huì)因?yàn)殡S著負(fù)載電流的變化而變化，導(dǎo)致門源電壓出現(xiàn)變化，從而影響 MOSFET 工作狀態(tài)。
當(dāng)加入電阻以后，電阻會(huì)通過(guò)電壓降來(lái)微MOSFET提供一個(gè)穩(wěn)定的偏置電壓，穩(wěn)定 MOSFET 的工作狀態(tài)。
那么MOSFET柵極（G）-源極（S）的下拉電阻在什么情況下會(huì)顯得尤為重要呢？
這就是我們要講的第二點(diǎn)作用。
MOS管的G-S間有很大的阻抗，一旦在G-S之間存在少量的的靜電，較大的電阻值會(huì)會(huì)在柵(G)源極(s)之間產(chǎn)生很高的電壓，在這種高電壓的狀態(tài)下，再加上原本的電流，電壓會(huì)更大。
在這時(shí)我們需要將少量的靜電泄放掉，避免兩端的高電壓讓MOSFET有誤動(dòng)作或擊穿G-S極的風(fēng)險(xiǎn)，而電阻便起到了這樣一個(gè)保護(hù)MOSFET的作用。
下拉低阻回路進(jìn)行釋放電流
具體解釋如下：
我們知道MOSFET是高阻抗器件，在柵極（G）和源極（S）之間，存在一層絕緣體，即二氧化硅（SiO2）。MOS管有一個(gè)米勒效應(yīng)，我們?yōu)榱吮苊夤茏娱L(zhǎng)時(shí)間停留在一個(gè)米勒平臺(tái)上，會(huì)選擇加速M(fèi)OS管的導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間，減少開(kāi)關(guān)的損耗。
一旦MOSFET驅(qū)動(dòng)異常，米勒電容可能會(huì)通過(guò)電流給柵極（G）和源極（S）充電，接著小電流高阻抗對(duì)應(yīng)著高電壓，柵極電壓被充電，如若超過(guò)門檻電壓“Vgs(th)”，則易導(dǎo)致MOSFET重新開(kāi)通，這是十分危險(xiǎn)的。
下拉電阻對(duì)電荷的泄放路徑
此外，當(dāng)MOSFET用于開(kāi)關(guān)電路時(shí)，在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，如果柵極電壓沒(méi)有及時(shí)降下來(lái)，極易導(dǎo)致MOSFET處于部分導(dǎo)通狀態(tài)，隨后產(chǎn)生大量的熱量，造成MOSFET損壞。再柵極（G）和源極（S）之間增加一個(gè)適當(dāng)?shù)南吕娮瑁軌蚱鸬郊涌鞏艠O電壓的下降速度的作用，從而保護(hù)MOSFET。
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