反向極性保護這個詞許多工程師并不陌生。大多數(shù)前端電源系統(tǒng)，特別是電子汽車領域中，極性反接保護成為連接電池的 ECU/系統(tǒng)的一個關鍵組成部分。
它主要防止在浪涌事件，或者感應負載與電池斷開連接期間出現(xiàn)動態(tài)反極性情況，因為反向連接的電源會出現(xiàn)損壞連接的子系統(tǒng)、電路和組件的可能性。
一般情況下，肖特基二極管會是防止反極性條件的傳統(tǒng)選擇，但正向?qū)ㄔ斐傻墓β蕮p失后。需要額外進行詳細的熱計算評估，這導致系統(tǒng)成本和空間增加。在科技產(chǎn)品不斷更新迭代與快速進步的時代下，我們有了更加便利和更加高效的反極性保護方法。
本文要點
本期內(nèi)容我們要講解的是肖特二極管和MOSFET的反極性保護，著重講解的是MOSFET反極性保護的情況，進而比較NMOS和PMOS兩者在其中的工作分析。
在此之前，先簡單說一下“傳統(tǒng)二極管保護”。
防止輸入極性反向的常用方法：在系統(tǒng)電源路徑的輸入端添加一個串聯(lián)二極管。
作用：一般情況下負載電流沿二極管的正向流動。但如果電池安裝的極性錯誤，二極管就會反向偏置并阻斷反向電流，從而保護負載免受負電壓的影響。
這種簡單傳統(tǒng)的反向極性保護存在一些缺點：
1、功率耗散，在較高負載電流下，正向壓降導致的正向?qū)〒p耗會明顯損失；
2、熱管理（前面有提到），管理功耗需要散熱器增加了總成本和空間；
3、更高的正向電壓降；
4、反向漏電流，二極管的反向漏電流隨著結溫的升高而猛烈增加，導致產(chǎn)生功耗更高。
二極管的反向極性保護
與肖特基二極管相比，MOSFET的壓降一般要低得多。
首先來講P MOS進行反向極性保護
上期我們有講到MOSFET的體二極管，與所有 MOSFET 一樣，P MOS 在源極和漏極之間同樣有一個本征體二極管。
當電池連接時體二極管導通，隨后 MOSFET 的溝道導通。
這里有個前提條件我們之前也提到過，要使 P MOS 導通，柵極電壓需要比源極電壓低至少 VT（閾值電壓）。當電池反接時，體二極管反偏，柵極和源極電壓會相同，因此 P MOS 關斷。
PMOS提供極性反接保護
這時，使用一個額外的齊納二極管來箝位 P MOS 的柵極，在電壓過高起到保護作用。
使用N MOS進行反向極性保護
當電池正確連接時，即源極連接到 VBAT，要使 MOSFET 導通，柵源電壓（Vgs）必須高于閾值電壓（Vth）。因為源極連接到 VBAT處，所以柵極電壓需要比 VBAT 高至少Vth（閾值電壓）。
因此，我們可以使用一個專用驅(qū)動器來驅(qū)動 N MOS 的柵極電壓，讓其高于源極電壓，使NMOS導通。當電池反接時，體二極管反偏，接著驅(qū)動器被禁用（源極和柵極短路），N MOS 關斷。
NMOS提供極性反接保護
三者的比較分析
從以上的分析可以對肖特二極管及MOSFET進行簡單的對比。
肖特二極管
優(yōu)點：成本較低，操作簡單
缺點：功耗損耗較高，壓降較高
MOSFET
優(yōu)點：1.產(chǎn)品具備靈活性（不同的RDS(ON）的MOSFET）
2.功耗較低，壓降較低
缺點：1.RDS(ON)較低的MOSFET成本較高，總成本可能略高（需要利用額外的控制器）
2.有一定的復雜度
NMOS和PMOS的使用比較
我們知道P MOS的操作一般取決于空穴的遷移率，而 N MOS的操作取決于電子的遷移率。
對于相同的漏極電流，電子的遷移率比空穴的遷移率更高，幾乎 2.5 倍。因此，為實現(xiàn)相同的導通電阻，P MOS的芯片尺寸需要比 N MOS 更大，這也造成相應的成本也更高。所以在反向極性保護中，NMOS會更適合此類應用。
同樣上面我們也提到了，選擇低導通電阻的MOSFET產(chǎn)品也是其優(yōu)勢之一。微碧VBsemi的MOSFET產(chǎn)品具有較低的導通電阻，更小的尺寸和較優(yōu)的散熱功能，可提供強大的反向極性和反向電流阻斷。
可以根據(jù)自身應用需求以及各種電路設計和應用場景，選擇所匹配的MOSFET 。
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