晶體管與MOS管并聯(lián)理論：
(1)、晶體管具有負(fù)的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時，導(dǎo)通電阻會變小。
(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時，導(dǎo)通電阻會逐漸變大。
相比于晶體管，MOS管的特性更加適合并聯(lián)電路中的均流，因此當(dāng)電路中電流很大時，一般會采用并聯(lián)MOS管的方法來進(jìn)行分流。
采用MOS管進(jìn)行電流的均流時，當(dāng)其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導(dǎo)通電阻的增大，減少流過的電流；
MOS管之間根據(jù)電流大小的不同來反復(fù)調(diào)節(jié)，最后可實現(xiàn)兩個MOS管之間的電流均衡。
注：晶體管也可以通過并聯(lián)來實現(xiàn)大電流的流通，但是此時需要通過在基極串接驅(qū)動電阻來解決各個并聯(lián)晶體管之間的電流均衡問題。
晶體管(MOS管)并聯(lián)注意事項：
(1)、各個晶體管(MOS管)的基極(柵極)不能直接相連，要分別串接驅(qū)動電阻進(jìn)行驅(qū)動，以防止振蕩。
(2)、要控制各個晶體管(MOS管)的開啟時間和關(guān)斷時間保持一致，因為如果不一致，先開啟的管子或后關(guān)斷的管子會因電流過大而擊穿損壞。
(3)、為了以防萬一，最好在各個晶體管(MOS)管的發(fā)射極(源極)串接均流電阻，當(dāng)然這并非強(qiáng)制選項。
(4)、各個并聯(lián)的晶體管(MOS管)之間要注意熱耦合，因為電流集中在一方管子的主要原因就是由發(fā)熱引起的。
晶體管(MOS管)并聯(lián)應(yīng)用：
(1)、功率開關(guān)MOSFET的集成IC芯片，其內(nèi)部是將大量的小MOS管并聯(lián)連接起來的，這樣每一個MOS管單元中流過的電流很小，防止局部的電流集中(若電流局部集中，則器件就損壞)，但是電路總體可以通過較大的電流，非常適合驅(qū)動電機(jī)等重負(fù)載設(shè)備。當(dāng)然多個MOS管并聯(lián)還可以改善高頻特性，這已經(jīng)成為目前功率開關(guān)MOS管的主要結(jié)構(gòu)。
(2)、電池等供電設(shè)備是移動設(shè)備獲取電力的主要來源之一，但是一般的高功率電池供電電流都非常大(功率使用可以達(dá)到100A),因此僅僅使用單MOS管作為開關(guān)器件還不能滿足大電流的應(yīng)用目的，這時多個MOS管并聯(lián)便能大展身手了。
(3)、功率放大電路（射極輸出電路）需要驅(qū)動較大功率的負(fù)載設(shè)備，這時單個晶體管(MOS管)的流通電流能力有限，遠(yuǎn)遠(yuǎn)實現(xiàn)不了大功率設(shè)備(100W,1000W等等)的驅(qū)動能力；而采用多管并聯(lián)可以解決這一難題。
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