工程師們在調(diào)試各式各樣的板子時，常會出現(xiàn)開機出現(xiàn)錯誤，系統(tǒng)無法正常打開，接下來我們將列舉電路板上電時可能引發(fā)的一些常見系統(tǒng)問題，并說明了保證電路板正確初始化的基本原則。
許多 IC 都包含 POR 電路
（上電復位，即 Power-on Reset）
（上電復位，即 Power-on Reset）
（上電復位，即 Power-on Reset）!重要的事情說三遍！
其作用是保證板子上電后，模擬和數(shù)字模塊初始化至已知狀態(tài)。
POR 三步走：電源電壓達到閾值電壓——POR 電路就會釋放內(nèi)部復位信號——狀態(tài)機開始初始化器件。
在初始化完成之前，器件忽略外部信號，包括傳輸?shù)臄?shù)據(jù)。唯一例外是復位引腳，它會利用 POR 信號內(nèi)部選通。
1.1POR 電路長什么樣？
先通俗的科普一個概念，窗口比較器：常用兩個比較器組成（雙比較器），它有兩個閾值電壓 VT2（高閾值電壓）及 VT1（低閾值電壓），若 VT1≤VA≤VT2，Vout 輸出高電平；若 VA＜VT1，VA＞VT2，則 Vout 輸出低電平。
圖 1 雙比較器
POR 電路可以表示為窗口比較器，也就是一旦工作電壓落在高低閾值之間，電路就自動復位。如圖 1.1 所示。
圖 2 簡化的 POR 電路
1.2POR 怎么運作？
比較器窗口通常由數(shù)字電源電平定義。數(shù)字模塊控制模擬模塊，數(shù)字模塊全面工作所需的電壓與模擬模塊工作所需的最小電壓相似。
較高的 VT2 閾值對模擬模塊會更好，若過于接近推薦最小電源電壓，當電壓略微降低時，可能會意外觸發(fā)復位。
如果器件包括獨立的模擬電源和數(shù)字電源，則避免故障的一種策略是增加一個 POR 電路，使兩個模塊保持復位狀態(tài)，直至電源電壓高到足以確保電路正常工作。
1.3POR 怎么對付短暫斷電？
POR 電路有時會集成一個掉電檢測器（BOD），用于防止電路在電壓非常短暫地意外降低時發(fā)生復位。實際上，掉電電路給 POR 模塊所定義的閾值電壓增加了遲滯，通常為 300mV 左右。BOD 保證，當電源電壓降至 VT2 以下時，POR 不會產(chǎn)生復位脈沖，除非電源電壓降至另一閾值 VBOD（VT2-300mv）以下，如圖 1.2 所示。
圖 3 掉電檢測
掉電閾值電平足以保證數(shù)字電路保留信息，但不足以保證其正常工作。這樣，如果電源電平只是非常短暫地降低的話，控制器可以在電源降至某一電平以下時中止活動，使整個器件都免于重新初始化。
1.4 正確上電要掌握的三種情況
一、單調(diào)性電源有震蕩時
實際的 POR 電路比圖 1.1 所示的簡化版本要復雜得多， POR 電路需要一個啟動模塊來產(chǎn)生啟動脈沖，這種情況下必須使用單調(diào)性電源（單調(diào)上升或下降而沒有震蕩的電源），因為若使用非單調(diào)性電源，當偏差接近任何閾值電平時，非單調(diào)性斜坡可能會引起問題。
較高的閾值偏差會引起同樣的非單調(diào)性序列對某一個元件有效，而對其他元件無效，如圖 1.3 所示。
圖 4 非單調(diào)性電源斜坡
圖 5 單調(diào)性電源斜坡
解決方法：使用單調(diào)性電源，避免斜坡引起問題。
二、系統(tǒng)無法啟動？可能是殘壓
某些時候，即使斷開電源（禁用 LDO），儲能電容也會保留一定的殘余電壓，POR 將無法正確復位，器件將無法正確初始化。如圖 1.4 所示。
圖 6 殘壓
解決方法：此電壓應(yīng)盡可能小，以便保證殘壓能降至 VT1 以下。
三、上電時序該如何安排？
某些數(shù)據(jù)手冊給出了應(yīng)當應(yīng)用于具有一個以上電源引腳的器件的推薦供電“時序”。遵守這個序列是很重要的。例如，想想一個具有兩個獨立電源的器件。
圖 7 推薦上電時序
解決方法：推薦供電序列要求數(shù)字電源先于模擬電源供電（這是常規(guī)，因為數(shù)字模塊控制模擬模塊，所以必須首先為數(shù)字模塊供電），該模塊必須首先初始化。哪個電源首先開始上升不重要，但數(shù)字電源必須先于模擬電源跨過閾值，如圖 1.5 所示。如果電源之間的延遲為 100 μs 左右，則影響應(yīng)當很小，器件應(yīng)能正確初始化。
四、其他小結(jié)
由于內(nèi)部三極管寄生效應(yīng)，數(shù)百 ms 的慢速電源斜坡可能會引起問題。POR 電路要在各種壓擺率下進行評估，以保證其在正常電源條件下能正確工作。數(shù)據(jù)手冊會說明是否需要快速電源斜坡（100 μs 或更短）。
例如，對于用細電纜連接電源的電路板，不良的接地連接會具有高阻抗，它可能會在上電期間產(chǎn)生毛刺。另外，在某些電磁環(huán)境(EME)下，MOS 晶體管的寄生柵極電容可能會充電，導致晶體管不能正常工作，除非讓該電容放電。這可能引起 POR 初始化失敗。
漂移和容差也需要考慮。某些情況下，電容等分立元件具有高容差（高達 40%）和高漂移（隨溫度、電壓和時間的漂移）。此外，閾值電壓具有負溫度系數(shù)。例如，VT1 在室溫下為 0.8V，在 -40°C 下為 0.9 V，在+105°C 為 0.7V。
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