今天給大家推一篇關(guān)于FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的區(qū)別！
FET，場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ield Effect Transistor，簡(jiǎn)單理解就是個(gè)水管閥門。
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FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;
柵極（Gate），是個(gè)門，閥門，打開FET，電子就流動(dòng)，關(guān)上閥門，電子就不流動(dòng)。
漏極（Drain），電子流出FET；
電子是負(fù)電荷，所以，是從GND流到Vcc的
MOSFET，Y2T149聊到MOS是個(gè)電容，MOSFET叫做金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
是現(xiàn)在數(shù)字半導(dǎo)體芯片常用的結(jié)構(gòu)：
MESFET金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Metal Epitaxial-Semiconductor Field Effect
Transistor，用在第一代模擬或者射頻電路上。
MODFET調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管Modulation Doped Field Effect Transistor,MODFET
MOSFET、與MODFET/MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制；
MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導(dǎo)體（電容）做柵極；
MODFET/MESFET是用金屬-半導(dǎo)體接觸（肖特基二極管），用二極管做柵極。速度比MOS要快，可以用在高速電路上。
MOS相當(dāng)于塑料閥門頭，MES/MOD是銅閥門頭
那MESFET和MODFET的區(qū)別
MODFET有異質(zhì)結(jié)，形成一個(gè)二維層，叫二維電子氣(Two-dimensional electron gas,
2DEG)是指電子氣可以自由在二維方向移動(dòng)，而在第三維上受到限制的現(xiàn)象。
小結(jié)：
FET 就是水管子閥門
MOSFET 是塑料閥門
MESFET是銅閥門
MODFET不光是銅閥門，還用了陶瓷閥芯
MESFET截止頻率比MOSFET高三倍
MODFET截止頻率比MESFET高30%
學(xué)術(shù)解釋：
所有場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的輸出特性均相似。低漏偏壓時(shí)存在一線性區(qū)。偏壓變大時(shí)，輸出電流最終達(dá)到飽和；電壓足夠高時(shí)，漏端將發(fā)生雪崩擊穿。根據(jù)閾值電壓的正或負(fù)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為增強(qiáng)型(常斷模式)或耗盡型(常通模式)。金屬?半導(dǎo)體接觸是MESFET與MODFET器件的基本結(jié)構(gòu)。使用肖持基勢(shì)壘作為柵極、兩個(gè)歐姆接觸作為源極與漏極。
MODFET器件高頻性能更好。器件結(jié)構(gòu)上除柵極下方的異質(zhì)結(jié)外，大體上與MESFET相似。異質(zhì)結(jié)界面上形成二維電子氣(亦即可傳導(dǎo)的溝道)，具有高遷移率與高平均漂移速度的電子可通過溝道由源極漂移到漏極。
截止頻率fT是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)高頻指標(biāo)。在給定長(zhǎng)度時(shí)，Si MOSFET(n型)的fT最低，GaAs MESFET的fT比硅約高三倍。常用GaAs MODFET與贗晶SiGe MODFET的fT 比GaAs MESFET約高30％。
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